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v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺
v 电极的适用温度范围宽，-150°颁至400°颁
v ICP源尺寸为65mm，180mm，300mm
v 应用方向：
? III-V族材料的刻蚀工艺
? 固体激光器InP刻蚀
? VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
? 射频器件低损伤GaN刻蚀
? 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺
? 类金刚石（DLC）沉积
? 二氧化硅和石英刻蚀
? 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圆
? 沉积高质量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子学、电介质层、钝化等诸多其它用途
? 用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
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