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v 该化学机械抛光机可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、STI、SOI等产物的CMP平坦化抛光。 通过更换抛光头可兼容4、6、8英寸晶圆

v 系统功能：手动上下片，程序自动进行抛光，配有终点监测装置，配置半自动loading & unloading托盘系统，8寸规格，方便8寸晶圆上下片

v 抛光数据监测：具有摩擦力监测功能

v 配备红外温度计实时监测抛光过程中抛光垫表面温度

v 抛光盘直径≥20inch(508mm) 转速范围：30-200rpm

v 抛光头wafer加压方式：气囊加压，带有背压功能

v wafer压力控制范围：70-500g/cm²

v 保持环压力控制范围：70-700g/cm²

v 抛光头转速范围：30-200rpm 摆动幅度：±10mm

v 抛光液供应系统：3个可调流量蠕动泵供液，3路独立的抛光液通道，滴液位置可调

v 配置摩擦力&温度终点监控系统：含专用监测软件，带有End point detection功能

v 控制系统：PC工控机控制，触摸屏操作，可存储20个加工程序，加工程序最多可设6个不同加工阶段

v 均匀性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)

片内非均匀性奥滨奥狈鲍≤5%

片间非均匀性奥罢奥狈鲍≤5%