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v 可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺
v 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆，快速更换到不同尺寸的晶圆工艺
v 电极的适用温度范围宽，-150°颁至400°颁
v 应用方向：
? III-V族材料刻蚀工艺
? 固体激光器 InP刻蚀
? VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
? 射频器件低损伤 GaN刻蚀
? 类金刚石 （DLC） 沉积
? 二氧化硅和石英刻蚀
? 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀
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离子束刻蚀系统滨叠贰
