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v 应用方向：提供深硅蚀刻（DSiE）领域的MEMS，封装和纳米技术的广泛应用，从光滑侧壁工艺到高刻蚀速率腔刻蚀、高深宽比工艺和锥形通孔刻蚀，不需要更换腔室硬件就可以实现
v 产物特点：
? 光滑侧壁工艺
? 高刻蚀速率腔刻蚀
? 高深宽比工艺
? 锥形通孔刻蚀
? 机械或静电压盘，加热内衬
? 延长了两次清洗间的平均时间间隔（MTBC）环形激光陀螺反射镜
? X射线光学系统
? 红外（IR）传感器
? II-VI族材料，通信滤波器
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